ASE50N06-ASEMI低压MOS管ASE50N06

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ASE50N06TO-252-2L封装里静态漏极源导通电阻(RDS(ON)15mΩ,是一款N沟道MOSASE50N06的最大脉冲正向电流ISM200A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗(PD85WASE50N06的电性参数是:正向电流(Io)50A,漏极-源极击穿电压60V,二极管正向电压(VSD)为1.2V,其中有3条引线。

 

ASE50N06参数描述

型号:ASE50N06

封装:TO-252-2L

特性:N沟道MOS

电性参数:50A 60V

正向电流(Io)50A

静态漏极源导通电阻RDS(ON)):15mΩ

功耗(PD):85W

二极管正向电压(VSD)1.2V

最大脉冲正向电流ISM200A

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

工作温度:-55~+175

引线数量:3

 

 

ASE50N06TO-252封装系列。它的本体度为6.25mm加引脚长度为10.35mm,宽度为6.75mm,高度为2.4mm脚间距为2.34mm

 

以上就是关于ASE50N06-ASEMI低压MOSASE50N06的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

posted @ 2023-02-22 17:01  强元芯  阅读(90)  评论(0编辑  收藏  举报