ASEMI低压MOS管ASE50N03参数,ASE50N03封装

编辑-Z

ASEMI低压MOSASE50N03参数:

型号:ASE50N03

漏极-源极电压(VDS):30V

栅源电压(VGS):20V

漏极电流(ID):50A

功耗(PD):60W

储存温度(Tstg):-55 to 150

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):5.8mΩ

二极管正向电压(VSD):1.3V

输入电容(Ciss):2250pF

二极管反向恢复时间(trr):35nS

 

 

ASE50N03封装规格:

封装:TO-252-2L

总长度:10.4mm

本体长度:6.2mm

宽度:6.7mm

高度:2.38mm

脚间距:2.28mm

 

 

ASE50N03特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷:Qg=43nC(典型值)。

BVDSS=30VI D=50A

RDS(开启):5.8mΩ (最大值)@VG=10V

100%雪崩测试

 

posted @ 2023-02-22 16:58  强元芯  阅读(112)  评论(0编辑  收藏  举报