ASE4N65SE-ASEMI高压MOS管ASE4N65SE
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ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗(PD)为50W。ASE4N65SE的电性参数是:正向电流(Io)为4A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。
ASE4N65SE参数描述
型号:ASE4N65SE
封装:TO-220F
特性:N沟道高压MOS管
电性参数:4A 650V
正向电流(Io):4A
静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω
功耗(PD):50W
二极管正向电压(VSD):1.4V
最大脉冲正向电流ISM:16A
零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
ASE4N65SE是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.8mm,宽度为10.16mm,高度为4.7mm,脚间距为2.54mm。
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