ASE20N60-ASEMI的MOS管ASE20N60

编辑-Z

ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。ASE20N60的电性参数是：正向电流(Io)为20A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

 

ASE20N60参数描述

型号：ASE20N60

封装：TO-247

特性：N沟道高压MOS管

电性参数：20A 600V

正向电流(Io)：20A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω

功耗（PD）：239W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

最大脉冲正向电流ISM：80A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：10uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

ASE20N60是TO-247封装系列。它的本体长度为21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。

 

以上就是关于ASE20N60-ASEMI的MOS管ASE20N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。