ASEMI低压MOS管50N06S,50N06S图片,50N06S尺寸
编辑-Z
ASEMI低压MOS管50N06S参数:
型号:50N06S
漏极-源极电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):25V
漏极电流(ID):50A
功耗(PD):85W
储存温度(Tstg):-55 to 175℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):15mΩ
二极管正向电压(VSD):1.2V
输入电容(Ciss):2050pF
二极管反向恢复时间(trr):28nS
50N06S封装尺寸:
封装:TO-252
总长度:10.35mm
本体长度:6.25mm
宽度:6.75mm
高度:2.4mm
脚间距:2.34mm
50N06S特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷:Qg=nC(典型值)。
BVDSS=60V,ID=50A
RDS(开):0.015Ω (最大值)@VG=10V
100%雪崩测试