ASEMI高压MOS管4N65SE,4N65SE参数,4N65SE特征

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ASEMIMOS4N65SE参数:

型号:4N65SE

漏极-源极电压(VDS):650V

栅源电压(VGS):30V

漏极电流(ID):4A

功耗(PD):50W

储存温度(Tstg):-55 to 150

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω

二极管正向电压(VSD):1.4V

输入电容(Ciss):560pF

二极管反向恢复时间(trr):393nS

 

 

4N65SE封装规格:

封装:TO-220F

总长度:28.8mm

本体长度:15.87mm

宽度:10.16mm

高度:4.7mm

脚间距:2.54mm

 

 

4N65SE特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷:Qg=14nC(典型值)。

BVDSS=650伏,ID=4A

R DS(开):2.50Ω (最大值)@V G=10V

100%雪崩测试

 

posted @ 2023-02-18 16:05  强元芯  阅读(82)  评论(0编辑  收藏  举报