ASEMI代理FGH60N60SFD,安森美FGH60N60SFD原装IGBT
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安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数:
型号:FGH60N60SFD
集电极到发射极电压(VCES):600V
栅极到发射极电压(VGES):±20V
收集器电流(IC):120A
二极管正向电流(IF):60A
最大功耗(PD):378W
工作结温度(TJ):−55 to +150℃
集电极截止电流(ICES):250uA
G−E阈值电压(VGE(th)):6.5V
输入电容(Cies):2820pF
二极管正向电压(VFM):2.6V
二极管反向恢复时间(Trr):47NS
FGH60N60SFD特征:
高电流能力
低饱和电压:VCE(sat)=2.3 V@IC=60 A
高输入阻抗
快速切换
该设备不含铅,符合RoHS标准
FGH60N60SFD应用:
FGH60N60SFD常应用于太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC