ASE28N50-ASEMI高压N沟道MOS管ASE28N50
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ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为200mΩ,是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗(PD)为300W。ASE28N50的电性参数是:正向电流(Io)为28A,漏极-源极击穿电压为500V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。
ASE28N50参数描述
型号:ASE28N50
封装:TO-247
特性:N沟道高压MOS管
电性参数:28A 500V
正向电流(Io):28A
静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):200mΩ
功耗(PD):300W
二极管正向电压(VSD):1.4V
最大脉冲正向电流ISM:110A
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
ASE28N50是TO-247封装系列。它的本体长度为21.1mm,加引脚长度为41.42mm,宽度为16.13mm,高度为5.21mm,脚间距为5.44mm。
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