ASEMI中低压MOS管18N20参数,18N20封装,18N20尺寸
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ASEMI中低压MOS管18N20参数:
型号:18N20
漏极-源极电压(VDS):200V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):18A
功耗(PD):83W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.18Ω
二极管正向电压(VSD):1.5V
输入电容(Ciss):1080pF
二极管反向恢复时间(trr):158us
18N20封装规格:
封装:TO-252
总长度:9.5mm
本体长度:6.1mm
宽度:6.6mm
高度:2.3mm
脚间距:2.3mm
18N20特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷:Qg=20nC(典型值)。
BVDSS=200V,ID=18A
RDS(开):0.18Ω (最大值)@VG=10V
100%雪崩测试