ASE12N65SE-ASEMI高压MOS管ASE12N65SE

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ASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗（PD）为140W。ASE12N65SE的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.4V，漏极-源极击穿电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

 

ASE12N65SE参数描述

型号：ASE12N65SE

封装：ITO-220AB

特性：N沟道高压MOS管

电性参数：12A 650V

正向电流(Io)：12A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：0.68Ω

功耗（PD）：140W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

最大脉冲正向电流ISM：48A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：10uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

ASE12N65SE是TO-220封装系列。它的本体长度为16.2mm，加引脚长度为30.47mm，宽度为10.28mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。

 

以上就是关于ASE12N65SE-ASEMI高压MOS管ASE12N65SE的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。