ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数，ASE60N10规格

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ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数：

型号：ASE60N10

漏极-源极电压（VDS）：100V

栅源电压（VGS）：±20V

漏极电流（ID）：60A

功耗（PD）：160W

储存温度（Tstg）：-55 to 175℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ

二极管正向电压（VSD）：0.85V

输入电容（Ciss）：3969pF

二极管反向恢复时间（trr）：35ns

 

 

ASE60N10封装规格：

封装：TO-263

总长度：16mm

本体长度：10.8mm

宽度：10.2mm

高度：4.7mm

脚间距：5.28mm

 

 

ASE60N10特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=146.1nC（典型值）。

BVDSS=100V，ID=60A

RDS（开启）：17mΩ （最大值）@VG=10V

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