20N65-ASEMI高压MOS管20N65
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20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.42Ω,是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗(PD)为239W。20N65的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.4V,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。
20N65参数描述
型号:20N65
封装:ITO-220AB
特性:N沟道高压MOS管
电性参数:20A 650V
正向电流(Io):20A
静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.42Ω
功耗(PD):239W
二极管正向电压(VSD):1.4V
最大脉冲正向电流ISM:80A
零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
20N65是TO-220封装系列。它的本体长度为20.1mm,加引脚长度为40.4mm,宽度为15.8mm,高度为5.0mm,脚间距为5.45mm。
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