SBT20100VDC-ASEMI超低压降、低功耗肖特基SBT20100VDC

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SBT20100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是87MIL，是一款超低压降 低功耗肖特基二极管。SBT20100VDC的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT20100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT20100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.45V，其中有3条引线。

 

SBT20100VDC参数描述

型号：SBT20100VDC

封装：TO-263

特性：超低压降 低功耗

电性参数：20A 100V

芯片材质：金属硅芯片

正向电流(Io)：20A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.45V

芯片尺寸：87MIL*2

浪涌电流Ifsm：180A

漏电流(Ir)：6uA

工作温度：-65~+150℃

引线数量：3

 

 

SBT20100VDC插件封装系列。它的本体长度为9.5mm，加引脚长度为15.9mm，宽度为10.69mm，高度为4.85mm，脚宽度为1.7mm。

 

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