ASEMI代理艾赛斯IXFK32N100P，车规级MOS管IXFK32N100P

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艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数：

型号：IXFK32N100P

漏极-源极电压（VDS）：1000V

连续漏电流（ID）：32A

功耗（PD）：960W

工作结温度（TJ）：-55 to +150℃

零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA

漏极源导通电阻RDS(ON)：320mΩ

输入电容（CISS）：14.2pF

二极管正向电压（VSD）：1.5V

反向恢复时间（trr）：300ns

 

 

IXFK32N100P封装尺寸：

封装：TO-264

总长度：46.99mm

本体长度：26.16mm

引脚长度：20.83mm

宽度：19.96mm

高度：5.13mm

脚间距：5.46mm

 

 

IXFK32N100P特征：

快速本征二极管

国际标准包装

额定无阻尼感应开关（UIS）

低封装电感-易于驱动和保护

 

 

IXFK32N100P应用：

开关模式和谐振模式电源

DC-DC转换器

激光驱动器

交流和直流电机控制

机器人和伺服控制