ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET

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力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数：

型号：LSIC1MO120E0080

漏极-源极电压（VDS）：1200V

连续漏电流（ID）：25A

功耗（PD）：214W

工作结温度（TJ）：-55 to +175℃

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA

漏极源导通电阻RDS(ON)：80mΩ

栅极阈值电压VGS(TH)：2.8V

输入电容（CISS）：1700pF

二极管正向电压（VSD）：3.6V

反向恢复时间（trr）：21ns

 

 

LSIC1MO120E0080封装尺寸：

封装：TO-247

总长度：22.03mm

本体长度：21.46mm

引脚长度：20.57mm

宽度：16.25mm

高度：5.3mm

脚间距：5.44mm

 

 

LSIC1MO120E0080特征：

针对高频、高效应用进行了优化

极低的栅极电荷和输出电容

用于高频开关的低栅极电阻

所有温度下的常闭操作

超低导通电阻

 

 

LSIC1MO120E0080应用：

高频应用

太阳能逆变器

开关模式电源

UPS

电机驱动

高压DC/DC转换器

电池充电器

感应加热