SBT10100VDC-ASEMI低压降贴片肖特基二极管SBT10100VDC

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SBT10100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是62MIL，是一款低压降贴片肖特基二极管。SBT10100VDC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为4uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT10100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT10100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.42V，其中有3条引线。

 

SBT10100VDC参数描述

型号：SBT10100VDC

封装：TO-263

特性：低压降贴片肖特基二极管

电性参数：10A 100V

芯片材质：金属硅芯片

正向电流(Io)：10A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.42V

芯片尺寸：62MIL*2

浪涌电流Ifsm：150A

漏电流(Ir)：4uA

工作温度：-65~+150℃

引线数量：3

 

 

SBT10100VDC插件封装系列。它的本体长度为9.5mm，加引脚长度为15.9mm，宽度为10.69mm，高度为4.85mm，脚间距为2.54mm。

 

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