MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT

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MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30100CT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.8V，其中有3条引线。

 

MBR30100CT参数描述

型号：MBR30100CT

封装：TO-220AB

特性：大功率肖特基二极管

电性参数：30A 100V

芯片材质：金属硅芯片

正向电流(Io)：30A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.8V

芯片尺寸：122MIL

浪涌电流Ifsm：275A

漏电流(Ir)：0.05mA

工作温度：-65~+175℃

引线数量：3

 

 

MBR30100CT插件封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。

 

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