AIGW50N65H5-ASEMI原厂代理英飞凌IGBT管AIGW50N65H5

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AIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，关闭延迟时间td(off)为173ns，其中有3条引线。

 

AIGW50N65H5参数描述

型号：AIGW50N65H5

脉冲集电极电流（ICpuls）：150A

功耗（Ptot）：270W

工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃

储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃

集电极-发射极电压（VCE）：650V

G−E阈值电压VGE(th)：4.0V

集电极截止电流（ICES）：40uA

G−E漏电流（IGES）：100nA

输入电容（Cies）：2800pF

输出电容（Coes）：54pF

打开延迟时间td(on)：21ns

关闭延迟时间td(off)：173ns

 

 

AIGW50N65H5插件封装系列。它的本体长度是21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。