STW78N65M5-ASEMI原厂代理意法MOS管STW78N65M5
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STW78N65M5用的TO-247封装,是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,栅源漏电流(IGSS)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容(Ciss)为9000pF,输出电容(Coss)为210pF。STW78N65M5的电性参数是:连续漏极电流(ID)为69A,漏源击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.5V,反向恢复时间(trr)为504ns,其中有3条引线。
STW78N65M5参数描述
型号:STW78N65M5
连续漏极电流(ID):69A
功耗(Ptot):450W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
栅源漏电流(IGSS):±100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.024Ω
输入电容(Ciss):9000pF
输出电容(Coss):210pF
二极管正向电压(VSD):1.5V
反向恢复时间(trr):504ns
STW78N65M5插件封装系列。它的本体长度是20.15mm,加引脚长度为34.95mm,宽度为15.75mm,高度为5.15mm,脚间距为5.45mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。