STW43NM60ND-ASEMI原厂代理意法MOS管STW43NM60ND
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STW43NM60ND用的TO-247封装,是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,栅源漏电流(IGSS)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW43NM60ND的输入电容(Ciss)为4300pF,输出电容(Coss)为250pF。STW43NM60ND的电性参数是:连续漏极电流(ID)为35A,漏源击穿电压为600V,二极管正向电压(VSD)为1.3V,反向恢复时间(trr)为280ns,其中有3条引线。
STW43NM60ND参数描述
型号:STW43NM60ND
连续漏极电流(ID):35A
功耗(Ptot):255W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:600V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA
栅源漏电流(IGSS):100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.075Ω
输入电容(Ciss):4300pF
输出电容(Coss):250pF
二极管正向电压(VSD):1.3V
反向恢复时间(trr):280ns
STW43NM60ND插件封装系列。它的本体长度是20.15mm,加引脚长度为34.95mm,宽度为15.75mm,高度为5.15mm,脚间距为5.45mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。