FCH041N65F-ASEMI原厂代理安森美MOS管FCH041N65F
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FCH041N65F用的TO-247封装,是安森美一款汽车级MOS管。FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,栅源漏电流(IGSS)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容(Ciss)为9790pF,输出电容(Coss)为355pF。FCH041N65F的电性参数是:连续漏极电流(ID)为76A,漏源击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.2V,反向恢复时间(trr)为213ns,其中有3条引线。
FCH041N65F参数描述
型号:FCH041N65F
连续漏极电流(ID):76A
功耗(Ptot):595W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:5V
零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA
栅源漏电流(IGSS):±100nA
漏源导通电阻RDS(on):36mΩ
输入电容(Ciss):9790pF
输出电容(Coss):355pF
二极管正向电压(VSD):1.2V
反向恢复时间(trr):213ns
FCH041N65F插件封装系列。它的本体长度是20.82mm,加引脚长度为41.07mm,宽度为15.87mm,高度为4.82mm,脚间距为5.56mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。