FCH041N65F-ASEMI原厂代理安森美MOS管FCH041N65F

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FCH041N65F用的TO-247封装，是安森美一款汽车级MOS管。FCH041N65F的漏源导通电阻RDS(on)为36mΩ，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。FCH041N65F的输入电容（Ciss）为9790pF，输出电容（Coss）为355pF。FCH041N65F的电性参数是：连续漏极电流（ID）为76A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.2V，反向恢复时间（trr）为213ns，其中有3条引线。

 

FCH041N65F参数描述

型号：FCH041N65F

连续漏极电流（ID）：76A

功耗（Ptot）：595W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：5V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA

栅源漏电流（IGSS）：±100nA

漏源导通电阻RDS(on)：36mΩ

输入电容（Ciss）：9790pF

输出电容（Coss）：355pF

二极管正向电压（VSD）：1.2V

反向恢复时间（trr）：213ns

 

 

FCH041N65F插件封装系列。它的本体长度是20.82mm，加引脚长度为41.07mm，宽度为15.87mm，高度为4.82mm，脚间距为5.56mm。

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。