IPW65R080CFDA-ASEMI原厂代理英飞凌MOS管IPW65R080CFDA
编辑-Z
IPW65R080CFDA用的TO-247封装,是英飞凌一款汽车级MOS管。IPW65R080CFDA的漏源导通电阻RDS(on)为0.072Ω,零栅极电压漏极电流(IDSS)为2uA,栅源漏电流(IGSS)为100nA,其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。IPW65R080CFDA的输入电容(Ciss)为4440pF,输出电容(Coss)为210pF。IPW65R080CFDA的电性参数是:连续漏极电流(ID)为137A,漏源击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为0.9V,反向恢复时间(trr)为180ns,其中有3条引线。
IPW65R080CFDA参数描述
型号:IPW65R080CFDA
连续漏极电流(ID):137A
功耗(Ptot):391W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-40 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):2uA
栅源漏电流(IGSS):100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.072Ω
输入电容(Ciss):4440pF
输出电容(Coss):210pF
二极管正向电压(VSD):0.9V
反向恢复时间(trr):180ns
IPW65R080CFDA插件封装系列。它的本体长度是21.1mm,加引脚长度为41.42mm,宽度为16.13mm,高度为5.21mm,脚间距为5.44mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。