ASEMI代理IPW65R150CFDA英飞凌原厂MOS管IPW65R110CFDA
编辑-Z
英飞凌的IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA都是汽车级MOS管,他们的封装都是TO-247的,本体长度都是21.1mm,加引脚长度为41.42mm,宽度为16.13mm,高度为5.21mm,脚间距为5.44mm。下面是IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA的详细参数对比:
型号:IPW65R150CFDA
连续漏极电流(ID):72A
功耗(Ptot):195.3W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-40 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
栅源漏电流(IGSS):100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.135Ω
输入电容(Ciss):2340pF
输出电容(Coss):110pF
二极管正向电压(VSD):0.9V
反向恢复时间(trr):140ns
型号:IPW65R110CFDA
连续漏极电流(ID):99.6A
功耗(Ptot):277.8W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-40 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):1.5uA
栅源漏电流(IGSS):100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.099Ω
输入电容(Ciss):2340pF
输出电容(Coss):160pF
二极管正向电压(VSD):0.9V
反向恢复时间(trr):150ns
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。