ASEMI代理IPW65R150CFDA英飞凌原厂MOS管IPW65R110CFDA

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英飞凌的IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA都是汽车级MOS管，他们的封装都是TO-247的，本体长度都是21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。下面是IPW65R150CFDA和IPW65R110CFDA的详细参数对比：

 

型号：IPW65R150CFDA

连续漏极电流（ID）：72A

功耗（Ptot）：195.3W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA

栅源漏电流（IGSS）：100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.135Ω

输入电容（Ciss）：2340pF

输出电容（Coss）：110pF

二极管正向电压（VSD）：0.9V

反向恢复时间（trr）：140ns

 

 

型号：IPW65R110CFDA

连续漏极电流（ID）：99.6A

功耗（Ptot）：277.8W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1.5uA

栅源漏电流（IGSS）：100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.099Ω

输入电容（Ciss）：2340pF

输出电容（Coss）：160pF

二极管正向电压（VSD）：0.9V

反向恢复时间（trr）：150ns

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。