ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET，原厂渠道ASEMI代理

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ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：

型号：STW78N65M5

连续漏极电流（ID）：69A

功耗（Ptot）：450W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA

栅源漏电流（IGSS）：±100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.024Ω

输入电容（Ciss）：9000pF

输出电容（Coss）：210pF

二极管正向电压（VSD）：1.5V

反向恢复时间（trr）：504ns

 

STW78N65M5是N通道MDmesh™ V功率MOSFET基于创新的专有垂直工艺技术，与STMicroelectronics著名的PowerMESH相结合的水平布局结构。STW78N65M5具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。

 

 

STW78N65M5特征：

专为汽车应用而设计，符合AEC-Q101标准

更高的VDSS等级

更高的dv/dt能力

出色的切换性能

易于驾驶

100%雪崩测试

 

STW78N65M5应用：

切换应用

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。