ON/安森美FCH041N65F车规级MOS管，原厂渠道ASEMI代理

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ON/安森美FCH041N65F车规级MOS管参数：

型号：FCH041N65F

连续漏极电流（ID）：76A

功耗（Ptot）：595W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源击穿电压V(BR)DSS：650V

栅极阈值电压V(GS)th：5V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA

栅源漏电流（IGSS）：±100nA

漏源导通电阻RDS(on)：36mΩ

输入电容（Ciss）：9790pF

输出电容（Coss）：355pF

二极管正向电压（VSD）：1.2V

反向恢复时间（trr）：213ns

 

SUPERFETII MOSFET是安森美半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，FCH041N65F非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

 

 

FCH041N65F特征：

700V@Tj= 150℃

典型值RDS(on)=36mΩ

超低栅极电荷(典型值Qg=226nC)

低有效输出电容(典型值Coss(eff.)=1278pF)

100%经过雪崩测试

符合RoHS标准

 

FCH041N65F应用：

LCD/LED/ PDP TV

通信/服务器电源

太阳能逆变器

AC-DC电源

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。