ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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MOS场效应管60N10比较娇气。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS60N10的检测方法测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。

 

60N10参数描述

型号:60N10

封装:TO-263

特性:大功率MOS

电性参数:60A 100V

栅极阈值电压VGS(TH)4V

连续漏极电流(ID)60A

功耗(PD)160W

二极管正向电压(VSD)1.2V

静态漏源导通电阻(RDS(ON))17mΩ

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

反向恢复时间(trr)35nS

输出电容(Coss)182.5pF

贮存温度:-55~+175

引线数量:3

 

 

大功率MOS60N10的检测方法

1准备

测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。

 

2判断电极

将万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。

 

3检查放大能力(跨导)

G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。

目前的MOS60N10G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。

posted @ 2022-06-14 15:03  强元芯  阅读(328)  评论(0编辑  收藏  举报