ASEMI的MOS管24N50参数,24N50封装,24N50尺寸

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ASEMIMOS24N50参数:

型号:24N50

漏源电压VDSS):500V

连续漏极电流ID):24A

栅源电压(VGSS):±30V

功耗PD):290W

漏源漏电流IDSS):50uA

栅极阈值电压(VGS(TH)):4V

静态漏源导通电阻RDS(ON)):0.24Ω

输出电容COSS):670pF

最大脉冲正向电流(ISM):96A

漏源二极管正向电压VSD):1.4V

反向恢复时间trr):250nS

 

 

24N50封装尺寸:

封装:TO-247

总长度:41.55mm

本体长度:21.3mm

引脚长度:20.25mm

宽度:16.25mm

高度:5.05mm

脚间距:5.7mm

 

 

24N50特征:

RDS(ON)=0.24Ω @ VGS=10V

高开关速度

100%雪崩测试

 

posted @ 2022-06-11 15:16  强元芯  阅读(378)  评论(0编辑  收藏  举报