7N65-ASEMI小功率MOS管7N65
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7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V,是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A,漏电流(ID)为7A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W,静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参数是:二极管正向电压(VSD)为1.4V,反向恢复时间(Trr)为293nS,输出电容(Coss)为95pF,其中有3条引线。
7N65参数描述
型号:7N65
封装:TO-220AB
特性:小功率MOS管
电性参数:7A 650V
栅极阈值电压VGS(TH):30V
漏电流(ID):7A
功耗(PD):50W
二极管正向电压(VSD):1.4V
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):1.25Ω
脉冲正向电流ISM:28A
反向恢复时间(Trr):293nS
输出电容(Coss):95pF
贮存温度:-55~+150℃
引线数量:3
7N65属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.8mm,宽度为10.16mm,高度为4.7mm,脚间距为2.54mm。
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