ASEMI场效应管7N60的极限和静态参数详解
编辑-Z
7N60极限参数:
(1)IDSM,最大漏源电流,是指场效应管7N60正常工作时,漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额;
(2)IDM,最大脉冲漏源电流,7N60这个参数会随着结温的升高而降额;
(3)PDSM,最大耗散功率,是指7N60性能不恶化时允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管的实际功耗应小于PDSM,并有一定的余量。该参数通常会随着结温的升高而降低;
(4)VGS,最大栅源电压,当栅源之间的反向电流开始急剧增加时的电压值。结型MOS管正常工作时,栅极和源极之间的PN结处于反偏状态,电流过大,会发生击穿;
(5)Tj,最高工作结温,通常为150℃或175℃,在器件设计的工作条件下,必须避免超过此温度,并应保留一定的余量;
(6)TSTG,储存温度范围。
7N60除上述参数外,还有电极间电容(MOS管三个电极之间的电容,数值越小管子的性能越好)、高频参数等参数。
7N60静态参数:
(1)V(BR)DSS,漏源击穿电压,是指当栅源电压VGS为0时,场效应管7N60所能承受的最大漏源电压。这是一个极限参数,工作电压施加到FET必须小于V(BR) DSS。它具有正温度特性。因此,该参数在低温下的值应作为安全考虑。
(2)RDS(on),在特定的VGS(通常为10V)、结温和漏极电流的条件下,MOS管7N60导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数,决定了MOS管7N60开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此,该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算;
(3)VGS(th),开启电压(阈值电压)。当施加的栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏极区和源极区的表面反型层形成连通沟道。在应用中,在漏极短接的情况下,ID等于1mA时的栅极电压通常称为导通电压。这个参数一般会随着结温的升高而降低;
(4)IDSS,饱和漏源电流,栅极电压VGS=0且VDS为一定值时的漏源电流,一般为微安级。由于MOS管的输入阻抗较大,IGSS一般在纳安级。