MP40N120-ASEMI场效应管MP40N120

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MP40N120采用的TO-247封装，是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A，最大功耗(PD)为320W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off))为255NS。MP40N120的电性参数是：漏源电压(VDSS)为1200V，栅源电压(VGSS)为±20V，集电极电流(IC)为40A，二极管正向电压(VSD)为1.9V，二极管反向恢复时间(trr)为55NS，其中有3条引线。

 

MP40N120参数描述

型号：MP40N120

封装：TO-247

特性：沟槽栅场截止型IGBT

电性参数：40A 1200V

漏源电压(VDSS)：1200V

栅源电压(VGSS)：±20V

集电极电流(IC)：40A

脉冲集电极电流(ICM)：60A

最大功耗(PD)：320W

开启延迟时间(td(on))：181NS

关断延迟时间(td(off))：255NS

二极管正向电压(VF)：1.9V

工作温度：-55~+150℃

二极管反向恢复时间(trr)：55NS

引线数量：3

 

 

MP40N120场效应封装系列。它的本体长度为21.2mm，加引脚长度为41.6mm，宽度为16.0mm，高度为5.2mm，脚间距为5.65mm。

 

以上就是关于MP40N120-ASEMI场效应管MP40N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。