ASEMI快恢复二极管US1M参数,US1M恢复时间,US1M压降
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ASEMI快恢复二极管US1M参数:
型号:US1M
最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V
最大RMS电桥输入电压(VRMS):700V
最大直流阻断电压(VDC):1000V
最大平均正向整流输出电流(IF(AV)):1.0A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
每个元件的典型热阻(ReJA):88℃/W
每个元件的典型结电容(Cj):15pF
工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to +150℃
最大瞬时正向压降(VF):1.7V
最大直流反向电流(IR):5uA
最大反向恢复时间(trr):100ns
US1M特征:
塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0
内置应力消除装置,非常适合自动放置
玻璃钝化芯片结
快速切换以实现高效率
高温焊接保证260/10秒
US1M机械数据:
外壳:JEDED DO-214AC模压塑料玻璃钝化芯片
端子:镀焊,可焊符合MIL-STD-750,方法2026
极性:色带表示阴极端
引线:电镀轴向引线,可根据MIL-STD-202E方法焊接
重量:0.002盎司,0.064克