ASEMI快恢复二极管US1M参数，US1M恢复时间，US1M压降

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ASEMI快恢复二极管US1M参数：

型号：US1M

最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V

最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V

最大直流阻断电压（VDC）：1000V

最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：1.0A

峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A

每个元件的典型热阻（ReJA）：88℃/W

每个元件的典型结电容（Cj）：15pF

工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃

最大瞬时正向压降（VF）：1.7V

最大直流反向电流（IR）：5uA

最大反向恢复时间（trr）：100ns

 

 

US1M特征：

塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0

内置应力消除装置，非常适合自动放置

玻璃钝化芯片结

快速切换以实现高效率

高温焊接保证260/10秒

 

US1M机械数据：

外壳：JEDED DO-214AC模压塑料玻璃钝化芯片

端子：镀焊，可焊符合MIL-STD-750，方法2026

极性：色带表示阴极端

引线：电镀轴向引线，可根据MIL-STD-202E方法焊接

重量：0.002盎司，0.064克