ASEMI快恢复二极管US1G参数，us1g封装，us1g资料

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ASEMI快恢复二极管US1G参数：

型号：US1G

最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V

最大有效值电压（VRMS）：280V

最大直流阻断电压（VDC）：400V

最大平均正向整流电流（I(AV)）：1A

峰值正向浪涌电流（IFSM ）：30A

最大瞬时正向电压（VF）：1.3V

额定最大直流反向电流（IR）：5uA

典型的反向恢复时间（trr）：50nS

典型结电容（CJ）：20pF

典型热阻（RθJA ）：88℃/W

工作结温（TJ）：-55 to +150℃

储存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃

 

 

US1G封装尺寸：

总长度：5.28mm

本体长度：4.6mm

引脚宽度：1.6mm

宽度：2.9mm

高度：2.62mm

 

US1G特征资料：

塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0

内置应力消除装置，非常适合自动放置

玻璃钝化芯片结

快速切换以实现高效率

高温焊接260 / 10秒