什么是MOS管40N120-ASEMI的导通特性，40N120开关损失怎么看

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使用MOS管40N120设计开关电源或电机驱动电路时，一般需要考虑40N120导通电阻、最大电压、最大电流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的导通特性？40N120开关损失怎么看呢？

 

40N120参数描述

型号：40N120

封装：TO-220

特性：低功耗场效应管

电性参数：40A 1200V

集电极电流(IC)：40A

脉冲集电极电流(ICM)：160A

集电极-发射极电压(VCES)：1200V

栅极-发射极电压(VGES)：±25V

G-E阈值电压(VGE)：5.5V

G-E漏电流(IGES)：250nA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

什么是MOS管40N120的导通特性：

导通的意思是充当一个开关，相当于一个闭合的开关。

NMOS的特性，Vgs大于一定值就会导通，适用于源极接地的情况，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V，其他电压见说明书）就可以了，40N120就是属于此类。

 

PMOS的特性，Vgs小于一定值就会导通，适用于源极接VCC的情况。然而，虽然PMOS可以方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大、价格高、替代品种类少，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

 

 

40N120开关损失怎么看：

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有一个导通电阻，所以当DS之间有电流流动时，两端都会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，消耗的这部分能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管40N120会降低导通损耗。

 

MOS在开启和关闭时，一定不是瞬间完成。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。一般来说，开关损耗远大于导通损耗，开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积越大，由此产生的损耗也很大。减少开关时间可以减少每次导通时的损耗；降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。