AO3400-ASEMI高效mos管AO3400

编辑-Z

AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是：持续漏极电流(ID)为5.8A，漏源电压(VDS)为30V，栅极阈值电压(VGS)为1.4V。

 

AO3400参数描述

型号：AO3400

封装：SOT-23

特性：高效mos管

电性参数：5.8A 30V

持续漏极电流(ID)：5.8A

脉冲漏极电流(IDM)：30A

漏源电压(VDS)：30V

栅源电压(VGS)：±12V

栅极阈值电压(VGS)：1.4V

零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

AO3400贴片封装系列。它的本体长度为1.7mm，加引脚长度为2.95mm，宽度为3.1mm，高度为1.3mm，脚间距为1.9mm。AO3400采用先进的沟槽工艺技术，用于超低导通电阻的高密度电池设计。

 

以上就是关于AO3400-ASEMI高效mos管AO3400的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。