MOS管应用电路，ASEMI型号25N120

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MOS管25N120最显着的特点是其良好的开关特性，因此25N120广泛应用于需要电子开关的电路中，如开关电源和电机驱动，以及照明调光。

 

25N120参数描述

型号：25N120

封装：TO-220

特性：高效mos管

电性参数：25A 1200V

二极管连续正向电流(IF)：25A

脉冲二极管正向电流(IFM)：150A

集电极-发射极电压(VCES)：1200V

栅极-发射极电压(VGES)：±20V

二极管正向压降(VFM)：2.0V

G-E漏电流(IGES)：250nA

反向恢复时间(trr)：235NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

目前的MOS驱动有几个特殊要求：

1、低压应用

使用5V电源时，此时如果使用传统MOS管工作原理图的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，实际加到栅极的最终电压只有 4.3V。这时候我们选择标称栅极电压为4.5V的MOS管就存在一定的风险。使用3V或其他低压电源时也会出现同样的问题。

 

2、宽电压应用

输入电压不是一个固定值，它会随着时间或其他因素而变化。这种变化导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压不稳定。为了使MOS管在高栅极电压下安全，很多MOS管都内置稳压管强行限制栅极电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压时，会造成较大的静态功耗。同时，如果单纯利用电阻分压原理来降低栅极电压，当输入电压比较高时，MOS管工作良好，而当输入电压降低时，栅极电压不足，造成导通不彻底而增加功耗。

 

3、双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或3.3V数字电压，功率部分使用12V甚至更高的电压，这两个电压以共地方式连接。这就提出了一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效地控制高压侧MOS管，而高压侧MOS管也会面临1、2中提到的问题。

 

在这三种情况下，图腾柱结构都不能满足输出要求，而且很多现成的MOS驱动IC似乎都没有包含栅极电压限制，而ASEMI型号25N120却很好的解决了这些问题。