什么是MOS管7N60，ASEMI-7N60有什么优势

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MOS管7N60一般为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管7N60的源极（source）和漏极（drain）是可以对调的，都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端接反也不会影响器件的性能，7N60这种器件被认为是对称的。

 

7N60参数描述

型号：7N60

封装：TO-220

特性：高效MOS管

电性参数：7A 600V

连续二极管正向电流(IS)：7A

脉冲二极管正向电流(ISM)：28A

漏源电压(VDSS)：600V

二极管正向电压(VSD)：1.5V

零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA

反向恢复时间(trr)：648NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

场效应管7N60通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。事实上，没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流很小。最常见的 FET 使用二氧化硅薄层作为 GATE 极下的绝缘体。这种类型的晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。由于MOS管7N60更小、更节能，因此在许多应用中已取代双极型晶体管。

 

MOS管7N60优势：

1、可应用于放大。由于场效应管7N60放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以有更小的容量，不必使用电解电容。

2、非常高的输入阻抗很适合做阻抗转换。7N60常用于多级放大器输入级的阻抗转换。

3、可用作可变电阻器。

4、可方便地作为恒流源使用。

5、可作为电子开关使用。

6、电路设计灵活性大。栅极偏压可正可负或为零，三极管只能在正偏压下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外7N60输入阻抗高，可以减少信号源的负载，容易与前级匹配。