ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC正向压降温度系数
编辑-Z
肖特基二极管SBT40100VDC正向压降与温度变化有什么关系?正向压降与温升呈线性关系,当肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降变小时,管温必然升高。
SBT40100VDC参数描述
型号:SBT40100VDC
封装:TO-263
特性:低压降肖特基二极管
电性参数:40A,100V
正向电流(Io):40A
芯片个数:2
正向电压(VF):0.54V
芯片尺寸:120MIL
浪涌电流Ifsm:300A
漏电流(Ir):10uA
工作温度:-65~+150℃
引线数量:3
我们知道,对于肖特基二极管来说,一个非常重要的性能指标是正向压降值(即VF值)。正是因为SBT40100VDC具有很低的正向压降值,所以在输出功率一定的情况下,功率损耗比普通二极管低。那么影响SBT40100VDC正向压降的变量有哪些呢?除了芯片性能和工艺技术,温升变化也是一个非常重要的方面。
肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降与温度成反比
SBT40100VDC作为半导体功率器件,在实际电路应用中难免会发热。工作温度逐渐升高,那么这会影响肖特基二极管正向压降的变化吗?答案是肯定的。通过SBT40100VDC的规格书可以看出,常温25°工作条件下压降值为0.54V,温升达到125°时压降值为0.48V,其正向压降值随着温度的逐渐升高而逐渐减小。由此我们可以得出一个结论:肖特基二极管SBT40100VDC正向压降的大小与温度成反比,即温度逐渐升高,压降逐渐减小。
虽然肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降随着温度的升高而降低是好的,但漏电流也会增加,漏电流放大会影响功率器件的整体效率,因此在工程设计时需要充分考虑电路转换率和散热措施。
以上就是关于ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC正向压降温度系数的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。