90N10-ASEMI的MOS管90N10

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90N10在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。90N10的脉冲漏极电流(IDM)为360A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，90N10的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。90N10的电性参数是：持续漏极电流(ID)为90A，漏极电压为100V，二极管正向电压(VSD)为1.2V，反向恢复时间(trr)为65NS，其中有3条引线。

 

90N10参数描述

型号：90N10

封装：TO-220

特性：大电流MOS管

电性参数：90A 100V

芯片材质：GPP

持续漏极电流(ID)：90A

脉冲漏极电流(IDM)：360A

二极管正向电压(VSD)：1.2V

栅极漏电流(IDSS)：1uA

反向恢复时间(trr)：65NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

90N10大电流场效应管封装系列。90N10具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。

 

以上就是关于90N10-ASEMI的MOS管90N10的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。