6N65-ASEMI的MOS管6N65

编辑-Z

6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。6N65的脉冲二极管正向电流(ISM)为24A，栅极漏电流(IDSS)为1uA，6N65的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。6N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

 

6N65参数描述

型号：6N65

封装：TO-220

特性：大电流MOS管

电性参数：6A 650V

芯片材质：GPP

连续二极管正向电流(IS)：6A

脉冲二极管正向电流(ISM)：24A

二极管正向电压(VSD)：1.4V

栅极漏电流(IDSS)：1uA

反向恢复时间(trr)：290NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

6N65大电流场效应管封装系列。6N65具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100% 雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。

 

以上就是关于6N65-ASEMI的MOS管6N65的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。