9N90-ASEMI的MOS管9N90

编辑-Z

9N90在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。9N90的脉冲二极管正向电流(ISM)为36A，栅极漏电流(IDSS)为10uA，9N90的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。9N90的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为9A，漏源电压为900V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

 

9N90参数描述

型号：9N90

封装：TO-220

特性：大电流MOS管

电性参数：9A 900V

芯片材质：GPP

连续二极管正向电流(IS)：9A

脉冲二极管正向电流(ISM)：36A

二极管正向电压(VSD)：1.4V

栅极漏电流(IDSS)：10uA

反向恢复时间(trr)：550NS

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

 

9N90大电流场效应管封装系列。9N90具有超低栅极电荷（典型值45nC），低反向传输电容（CRSS=典型值14pF），快速切换能力，改进的dv/dt能力，高耐用性等特性。

 

以上就是关于9N90-ASEMI的MOS管9N90的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

 

ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。