US1G-ASEMI二极管US1G的特性是什么

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二极管US1G是由半导体材料制成的电子器件。US1G具有单向导电性，即当二极管正负极加正向电压时，二极管导通。当向阳极和阴极施加反向电压时，二极管截止。因此，US1G二极管的通断相当于开关的通断

 

US1G参数描述

型号：US1G

封装：SMA

特性：小电流、贴片

电性参数：1A   400V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：1A

正向电压(VF)：1.3V

浪涌电流Ifsm：30A

漏电流(Ir)：5uA

工作温度：-55~+150℃

恢复时间(Trr)：50ns

引线数量：2

 

 

US1G的伏安特性

当正向电压施加到US1G二极管，电压值小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始呈指数增加，通常称为二极管US1G的开启电压；当电压达到0.7V左右时，二极管处于全导通状态，这个电压通常称为二极管US1G的导通电压

 

US1G的正向特性

当施加正向电压时，在正向特性开始时，正向电压很小，不足以克服PN结中电场的阻塞效应，正向电流几乎为零，该部分称为死区。这种不能使二极管US1G导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压时，PN结中的电场被克服，二极管导通，电流随着电压的增加而迅速上升。在正常使用的电流范围内，二极管导通时的端电压几乎保持不变。该电压称为US1G的正向电压。

 

US1G的反向特性

当施加的反向电压不超过一定范围时，通过US1G的电流是少数载流子漂移运动形成的反向电流。由于反向电流很小，二极管US1G处于关断状态。这种反向电流也称为反向饱和电流或漏电流；二极管US1G的反向饱和电流受温度影响很大。

 

US1G的击穿特性

当施加的反向电压超过一定值时，反向电流会突然增加。这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。二极管在电击穿期间失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而过热，则单向导电性可能不会被永久破坏。去除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因此，在使用过程中应避免对二极管US1G施加过高的反向电压。