ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别?
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ASEMI家的恢复二极管US系列成员有多个,那其中的US1M和US1G有什么区别呢?从型号上看US1M和US1G就只有后面的字母M和G的不同,而这两天恰恰代表的他们的反向耐压不同,他们的额定电流都是1A,封装形式也是一样的,区别就在于US1M的耐压是1000V,而US1G的耐压是400V。下面是它们的详细参数对比:
US1M参数描述
型号:US1M
封装:SMA
特性:小电流、贴片
电性参数:1A 1000V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.7V
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):100ns
引线数量:2
US1G参数描述
型号:US1G
封装:SMA
特性:小电流、贴片
电性参数:1A 400V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.3V
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):50ns
引线数量:2
以上就是ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。
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