ASEMI高压MOS管12N65工作原理及应用领域

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MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称金属—绝缘体—半导体。MOS12N65的源极和漏极是可以对调的,都是形成在Pbackgate中的N型区。大多数情况下,这两个区域是相同的,即使两端接反,也不会影响12N65的性能,这种装置12N65被认为是对称的。

 

ASEMI高压MOS12N65的工作原理

12N65利用VGS控制“感应电荷”的数量来改变这些“感应电荷”形成的导电沟道的状态,进而达到控制漏极电流的目的。管子12N65制造时,大量的正离子通过工艺出现在绝缘层中,因此在交界面的另一侧可以感应出较多的负电荷,这些负电荷连接高渗杂质的N区,形成导电沟道,因此,即使VGS=0,也有较大的漏电流ID。当12N65栅极电压变化时,沟道中感应的电荷量也发生变化,导电沟道的宽度也随之变化,因此漏极电流ID随栅极电压的变化而变化。

 

 

ASEMI高压MOS12N65参数描述

型号:12N65   

封装:TO-262TO-220/220FTO-247

特性:高压MOS

电性参数:12A  650V

正向电流(Io)12A

正向电压(VF)1.4V

浪涌电流Ifsm48A

G极漏电流(Ir)10uA

工作温度:-55~+150

恢复时间(Trr)380ns

引线数量:3

 

 

ASEMI高压MOS12N65的优点

1、可用于放大,由于场效应管放大器的输入阻抗很高,耦合电容的容量可以很小,所以不需要使用电解电容。

2、非常高的输入阻抗非常适合做阻抗变换,常用于多级放大器的输入级进行阻抗变换

3、可作为可变电阻器使用

4、可方便的用作恒流源

5、可作为电子开关使用

6、电路设计灵活性大,栅极偏压可以是正的、负的或零,三级管只能在正偏压下工作,而电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高,可以减少信号源负载,容易与前级匹配

 

 

ASEMI高压MOS12N65的应用领域

工业领域、步进电机驱动、电钻工具、工业开关电源

新能源领域、光伏逆变器、充电桩、无人机

交通领域、车载逆变器、车载HID镇流器、电动自行车

绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器

 

 

posted @ 2021-09-26 15:51  强元芯  阅读(603)  评论(0编辑  收藏  举报