ASEMI整流二极管DGL50-2B的作用和特性

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整流二极管DGL50-2B的作用具有明显的单向导电性。DGL50-2B是由半导体硅材料制成。DGL50-2B的作用可有效实现高击穿电压、低反向漏电流和优良的高温性能。DGL50-2B整流二极管的作用是利用PN结的单向导电性，将交流电转变为脉动直流电。DGL50-2B的电流比较大，大多采用面接触材料封装。那么DGL50-2B的主要特性有哪些呢？

 

DGL50-2B参数描述

型号：DGL50-2B

封装：DGL-2

特性：大功率整流二极管

电性参数：50A2000V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：50A

芯片个数：4

正向电压(VF)：2V

浪涌电流Ifsm：450A

漏电流(Ir)：5mA

工作温度：-40~+150℃

引线数量：2

 

1、DGL50-2B的正向性

整流二极管DGL50-2B最突出的作用是它的正向性。DGL50-2B外加正向电压时，正向特性初期的正向电压很小，不能有效克服PN结电场的阻断作用。正向电流几乎为零，这一段称为死区，不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当DGL50-2B的正向电压大于死区电压时，PN结中的电场被有效克服，DGL50-2B正向导通，电流随着电压的升高而迅速上升。在正常电流范围内，整流二极管导通时的端电压几乎保持不变。

 

2、DGL50-2B的反向性

整流二极管DGL50-2B的反向性是在整流二极管施加的反向电压不超过一定范围时，流过DGL50-2B的电流的少数载流子漂移形成的反向电流。由于DGL50-2B的反向电流很小，整流二极管处于截止状态。DGL50-2B的反向饱和电流受温度影响，当DGL50-2B的温度升高时，半导体被热激发，少数载流子的数量也随之增加。

 

3、DGL50-2B的反向击穿

整流二极管DGL50-2B作用中的反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，DGL50-2B由于势垒区宽度小，反向电压大，会破坏势垒区的共价键结构，使电子脱离共价键，会产生电子空穴。DGL50-2B作用中的另一种击穿类型是雪崩击穿。当DGL50-2B的反向电压增加到较大值时，外电场会加速电子漂移速度，使DGL50-2B共价键中的价电子发生碰撞，将价电子撞出共价键，并产生新的电子空隙。