MDS50HB160-ASEMI三相整流模块MDS50HB160
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MDS50HB160在MDS-HB封装里采用的4个芯片,是一款三相整流模块。MDS50HB160的浪涌电流Ifsm为750A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MDS50HB160采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。MDS50HB160的电性参数是:正向电流(Io)为50A,反向耐压为1600V,正向电压(VF)为1.1V,其中有5条引线。
MDS50HB160参数描述
型号:MDS50HB160
封装:MDS-HB
特性:三相整流模块
电性参数:50A1600V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):50A
芯片个数:4
正向电压(VF):1.1V
浪涌电流Ifsm:750A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:5
MDS50HB160三相模块封装系列。它的本体长度为82mm,宽度为30mm,高度为18mm,加引脚高度为31.5mm,脚间距为12mm。MDS50HB160的特征是玻璃钝化芯片,低反向漏电流,高耐浪涌电流能力750安培,符合ROHS要求,接线端与壳体间绝缘耐压2500V。MDS50HB160适用于家用电器、工业电源、工业自动化设备、电焊机。
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