ASEMI快恢复模块MUR20060CT的发展前景

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众所周知，当前电子技术的发展方向是：应用技术高频化、硬件结构模块化、半导体器件智能化、控制技术数字化、产品性能绿色化（对电网无污染）。而ASEMI快恢复模块MUR20060CT正是硬件结构模块化的产物，所以MUR20060CT符合未来的发展方向。

 

MUR20060CT参数描述

型号：MUR20060CT

封装：MUR-2

特性：快恢复模块

电性参数：200A600V

芯片材质：GPP硅芯片

正向电流(Io)：200A

芯片个数：2

正向电压(VF)：1.3V

浪涌电流Ifsm：800A

漏电流(Ir)：1mA

恢复时间Trr：110ns

工作温度：-40~+175℃

引线数量：2

 

上世纪80年代初，绝缘栅双极晶体管（IBGT）、功率MOS场效应晶体管和集成门极换流晶闸管（IGCT）研制成功，并迅速发展和商业化。这不仅为电力电子变流器向高频化的发展提供了坚实的器件基础，同时还提供高频用电设备（20KHZ以上）和固态高频设备的发展，实现高效、省电、节能、省材，为小型化、轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时，IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件配套的，不可缺少的快恢复模块MUR20060CT器件也得到了快速发展。

 

因为随着器件开关频率的提高，如果高频变频器件的续流、吸收、钳位、隔离、输入整流和输出整流的开关器件没有快恢复模块MUR20060CT，那么IGBT、功率MOSFET和IGCT等高频开关器件就不能发挥应有的功能和独特的效果。这是由于MUR20060CT的关断特性参数（反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr和反向峰值电流IRM）的作用导致的。与MUR20060CT配合合适的参数作为续流二极管和高频开关器件，可以最大限度地减少高频逆变电路中开关器件换流引起的过电压尖峰、高频干扰电压和EMI干扰。还可降低功耗，充分利用开关器件的功能。