US1G-ASEMI高效恢复二极管US1G
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US1G在SMA封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1G的浪涌电流Ifsm为30A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1G采用GPP芯片材质,里面有1颗芯片组成。US1G的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.7V,恢复时间(Trr)达到100ns,其中有2条引线。
型号:US1G
封装:SMA
特性:小电流、贴片
电性参数:1A 1000V
芯片材质:GPP
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.7V
芯片尺寸:50MIL
浪涌电流Ifsm:30A
漏电流(Ir):5uA
工作温度:-40~+150℃
恢复时间(Trr):100ns
引线数量:2
US1G贴片高效恢复封装系列。它的本体长度为4.6mm,整体长度为5.28mm,宽度为2.9mm,高度为2.62mm,脚宽度为1.6mm。
以上就是关于US1G-ASEMI高效恢复二极管US1G的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验,供应全系列高品质,高性能的整流桥和二极管产品。