1N5819-ASEMI肖特基二极管1N5819
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1N5819在DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是32MIL,是一款小电流肖特基二极管。1N5819的浪涌电流Ifsm为25A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。1N5819采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。1N5819的电性参数是:正向电流(Io)为1A,反向耐压为40V,正向电压(VF)为0.6V,恢复时间(Trr)达到5ns,其中有2条引线。
型号:1N5819
封装:DO-41
特性:小电流肖特基管
电性参数:1A 40V
芯片材质:硅芯片
正向电流(Io):1A
芯片个数:1
正向电压(VF):0.6V
芯片尺寸:32MIL
浪涌电流Ifsm:25A
漏电流(Ir):10uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):5ns
引线数量:2
1N5819小电流肖特基封装系列。它的本体长度为5.2mm,整体长度为56mm,宽度为2.7mm,高度为2.7mm,脚宽度为0.9mm。
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