SBT30100VFCT低压降肖特基二极管ASEMI品牌有何特别之处

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肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅晶片）的接触表面上，形成的肖特基用于阻挡反向电压。肖特基和PN结的整流原理之间存在根本区别。它的耐压仅为40V左右。它的特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别短。因此，可以制造开关二极管和低压大电流整流二极管。那么SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管ASEMI品牌有何特别之处？

 

型号：SBT30100VFCT

电性参数：30A100V

芯片材质：SI

正向电流(Io)：20A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.54V

芯片尺寸：93MIL

浪涌电流Ifsm：120A

漏电流(Ir)：20UA

工作温度：-55~+150℃

恢复时间(Trr)：<5nS

引线数量：3

 

SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管正向输出电流：30A；反向耐压：100V；正向压降：0.54V；漏电流：20ua；包装形式：TO-220AB；工作温度范围：-55至+ 150℃

 

SBT30100VFCT这样的30A，100V低压降肖特基产品是近年来市场上的热门产品。在固定电流下，正向压降比传统的肖特基低近30％。使用先进的沟槽制造技术，可以将满载效率提高4％以上。采用TRENCH先进技术的ASEMI品牌低压降肖特基SBT30100VFCT和SBT30100UFCT均具有三脚共阴极结构。 SBT30100VFCT的V代表V版本的LOW VFCT（100V V版本VFCT = 0.63v）

 

以上就是关于SBT30100VFCT 低压降肖特基二极管ASEMI品牌有何特别之处的介绍。台湾的ASEMI品牌在整流桥领域已有12年的专业经验，供应全系列高品质，高性能的整流桥产品。