MOSFET

压控压型。。。栅极电容效应

抄选至WeekendLab.

基础知识:

 

 

 

 

 

 

增强型MOSFET......通道先是断开的

 

VT = 2   T:threshold  阈值..    pirch off

 

 MOSFET注意:

体二极管?

 

 拿N通道耗尽型MOSFET举例...衬底与S角相连,,,,就可以看出有一个从S点到D点的PN结了...

N是高掺杂浓度,,,就会有可能出现,稳压二极管,,还可以有效抵御串扰...

 

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做了个模拟:VGS电压在0到-10之间控制开启关断...效果也是非常明显的

 

 

 查看了BSP304的DATASHEET

 

 可以看出，在DS出最高可以接多少V的电压,GS的电压最大是多少

VGSTH,threshold 的电压

ID：可流过的电流...Continuous连续的

 RDS（on）的多少可以计算出该MOSFET的功耗

 

 开关时间，在设计中也是非常重要的...

还有在设计中要注意体二极管的作用....

可以深入分析数据手册https://wenku.baidu.com/view/65942efb4693daef5ef73d42.html

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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DS之间等效成一个可变电阻,电阻关断期间，阻值无穷大.

在开通期间，则阻值非常小(毫欧)

 

 

 

 

注意场效应管内二极管

 

一.源、回路、阻抗

二波形整形的过程

三datasheet电器特性

datasheet

 

 在VGS=10V,ID-6A时的典型，RDS（on）=550毫欧

 

  VDSS：D到S的电压

VGSS：G到S的电压

ID：电流...Continuous连续的

IDM;pulse脉冲，峰值，瞬间可承受的

PD.损失功率

Off Characteristics:截止特性

On Characteristics：开通特性

Dynamic Characteristics:动态特性...电容、电荷

Switching Characteristics:开关特性